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晶体管
IRFB3607PBF参考图片

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IRFB3607PBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg
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库存:13,627(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.0738
7.0738
10
¥5.8986
58.986
100
¥3.8081
380.81
1,000
¥3.0397
3039.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
75 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
7.34 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
56 nC
Pd-功率耗散
140 W
配置
Single
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon / IR
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001551746
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS PNP 150mW
1:¥2.6103
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:25338
晶体管
MOSFET -20V Vds 12V Vgs TSOP-6
1:¥4.8364
10:¥3.7516
100:¥2.7798
500:¥2.2939
3,000:¥1.6159
6,000:查看
参考库存:34060
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
1:¥4.8364
10:¥3.955
100:¥2.4182
1,000:¥1.8645
参考库存:10667
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
1:¥3.1527
10:¥2.6329
100:¥1.6046
1,000:¥1.243
2,500:¥1.05994
参考库存:23444
晶体管
MOSFET 100V 2.1A N-Channel Enhancement MOSFET
1:¥6.8365
10:¥5.6839
100:¥3.6725
500:¥3.6725
1,000:¥2.938
参考库存:8196
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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