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晶体管
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IGD06N60TATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Infineon's TRENCHSTOP IGBT technology leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device due to combination of trench top-cell and filed stop concept. Combination of IGBT with soft recovery Emitter Controlled Diod
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库存：10,672(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.3733
8.3733
10
¥7.1981
71.981
100
¥5.537
553.7
500
¥4.8816
2440.8
2,500
¥3.4239
8559.75
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-252-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
12 A
Pd-功率耗散
88 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Cut Tape
封装
Reel
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGD06N60T IGD6N6TXT SP000960698
单位重量
316.800 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN2N2605/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥165.6693
250:¥151.985
500:¥144.6852
参考库存:56660
2SA1943-R(Q)
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor PNP 230V 15A
暂无价格
参考库存:56665
MPSA42-T
Rectron
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 0.5A 300V HV
6,000:¥0.99892
8,000:¥0.84524
参考库存:56670
2N3737UB/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥127.012
200:¥116.5708
500:¥110.9547
参考库存:56675
JANTX2N2219A/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥93.5866
250:¥85.2924
500:¥79.8345
1,000:¥73.224
参考库存:56680

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