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晶体管
IKD03N60RFATMA1参考图片

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IKD03N60RFATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 IGBT w/ INTG DIODE 600V 5A
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库存:11,378(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.0682
8.0682
10
¥6.8478
68.478
100
¥5.2545
525.45
500
¥4.6443
2322.15
1,000
¥3.6612
3661.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-252-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
5 A
Pd-功率耗散
53.6 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RC
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.41 mm
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKD03N60RF SP000942930
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 30V 1A NPN LOW
1:¥4.0002
10:¥3.3222
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
3,000:¥1.3334
参考库存:14871
晶体管
MOSFET N-Ch Sm Sig FET Id 0.2A 30V 20V
1:¥4.1471
10:¥3.0623
100:¥1.921
1,000:¥1.4464
3,000:¥1.2317
参考库存:6778
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 1A 100V
1:¥3.1527
10:¥2.6555
100:¥1.6159
1,000:¥1.2543
2,000:¥1.06785
参考库存:16085
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 100MA
1:¥2.6103
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:24497
晶体管
MOSFET MOSFET N CH 60V 173A TO-220AB
1:¥13.7521
10:¥11.6842
100:¥9.379
500:¥8.1473
1,000:¥6.8026
参考库存:7914
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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