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晶体管
IGW50N60H3参考图片

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IGW50N60H3

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库存:6,683(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥40.115
40.115
10
¥34.1147
341.147
100
¥29.5834
2958.34
250
¥28.0466
7011.65
500
¥25.1312
12565.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
Pd-功率耗散
333 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
100 A
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW50N60H3FKSA1 IGW5N6H3XK SP000702548
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 20V 600MA
1:¥3.616
10:¥2.5086
100:¥1.1526
1,000:¥0.88366
3,000:¥0.75258
参考库存:49119
晶体管
MOSFET 1200V silicon carbide MOSFET
1:¥206.0894
5:¥203.9311
10:¥190.0999
25:¥181.5684
参考库存:8542
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DIGITAL NPN
1:¥2.9154
10:¥2.0453
100:¥0.9379
1,000:¥0.72207
3,000:¥0.61472
参考库存:49126
晶体管
达林顿晶体管 AF TRANSISTORS
1:¥3.2318
10:¥2.7233
100:¥1.6724
1,000:¥1.2882
2,000:¥1.09836
参考库存:49131
晶体管
MOSFET NCH MOSFET, 10V
1,000:¥7.2433
2,000:¥6.7348
5,000:¥6.4975
10,000:¥6.2376
参考库存:49136
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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