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晶体管
SPD30P06P G参考图片

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SPD30P06P G

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库存:2,270(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.1418
11.1418
10
¥9.4468
94.468
100
¥7.3111
731.11
500
¥6.4636
3231.8
2,500
¥4.5313
11328.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
75 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
32 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
SIPMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
SPD30P06
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
5.2 S
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
13 ns
零件号别名
SP000441776 SPD30P06PGBTMA1 SPD3P6PGXT
单位重量
4 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT3
1:¥4.5313
10:¥3.7177
100:¥2.3956
1,000:¥1.921
3,000:¥1.6159
参考库存:30985
晶体管
MOSFET -20V Vds 12V Vgs SO-8
1:¥4.8364
10:¥3.9211
100:¥2.9832
500:¥2.4634
1,000:¥1.9662
2,500:¥1.7854
参考库存:27507
晶体管
MOSFET 60V N-Ch Logic Level MOSFET
1:¥17.9783
10:¥15.2889
100:¥12.2153
500:¥10.6785
参考库存:10904
晶体管
达林顿晶体管 NPN Si Transistor Epitaxial Darlington
1:¥2.3843
10:¥1.582
100:¥0.66105
1,000:¥0.45313
2,000:¥0.35369
参考库存:72021
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1700V 100A
1:¥1,348.7002
5:¥1,316.2692
10:¥1,283.6122
25:¥1,265.6339
参考库存:3498
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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