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晶体管
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IPP65R190E6

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库存：2,565(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥23.052
23.052
10
¥19.5942
195.942
100
¥16.9839
1698.39
250
¥16.1364
4034.1
500
¥14.4414
7220.7
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
20.2 A
Rds On-漏源导通电阻
170 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
73 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
151 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS E6
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
112 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
IPP65R190E6XKSA1 IPP65R19E6XK SP000849876
单位重量
1.800 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC807-16,235
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-13
1:¥1.07576
10:¥0.92999
100:¥0.32996
1,000:¥0.22261
10,000:¥0.14577
20,000:查看
参考库存:152120
MRF393
MACOM
晶体管
射频(RF)双极晶体管 30-500MHz 100Watts 28Volt Gain 8.5dB
1:¥645.682
10:¥630.0089
参考库存:2317
MMBF170-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 60V 225mW
1:¥2.9154
10:¥2.0001
100:¥0.83733
1,000:¥0.56839
3,000:¥0.44522
参考库存:184149
FCX705TA
Diodes Incorporated
晶体管
达林顿晶体管 PNP High Voltage Darlington
1:¥4.9155
10:¥4.1358
100:¥2.5199
1,000:¥1.9549
2,000:¥1.6724
参考库存:30566
IRFH5053TRPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms 24nC
1:¥13.2888
10:¥11.30
100:¥9.0626
500:¥7.91
1,000:¥6.5766
4,000:¥6.5766
参考库存:42228

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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