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晶体管
DMN2015UFDE-7参考图片

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DMN2015UFDE-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
  • 数据手册下载
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库存:18,770(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.7629
3.7629
10
¥3.1301
31.301
100
¥1.9097
190.97
1,000
¥1.4803
1480.3
3,000
¥1.2656
3796.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
U-DFN2020-E-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
10.5 A
Rds On-漏源导通电阻
9.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
45.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
660 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN2015
商标
Diodes Incorporated
下降时间
10.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16.8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
43.6 ns
典型接通延迟时间
7.4 ns
单位重量
6.750 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 600A
1:¥1,353.8417
5:¥1,321.2638
10:¥1,288.4486
25:¥1,270.3912
参考库存:4241
晶体管
MOSFET BUK966R5-60E/D2PAK/REEL 13" Q1
1:¥12.0684
10:¥10.2943
100:¥7.91
500:¥6.9495
800:¥5.4918
参考库存:28173
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 7.3A TO220FP-3 CoolMOS C3
1:¥15.9104
10:¥13.5261
100:¥10.8367
500:¥9.4468
1,000:¥7.8422
参考库存:39075
晶体管
MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 5.3mOhms 170nC
1:¥17.2099
10:¥14.5996
100:¥11.6842
500:¥10.2152
800:¥8.4524
参考库存:27402
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1W -60V
1:¥3.0736
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
2,500:¥1.00683
参考库存:16682
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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