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晶体管
IPD079N06L3GBTMA1参考图片

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IPD079N06L3GBTMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 60V 50A DPAK-2 OptiMOS 3
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库存:13,309(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.2207
7.2207
10
¥6.1811
61.811
100
¥4.7573
475.73
500
¥4.2036
2101.8
2,500
¥2.938
7345
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
6.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
29 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
79 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
36 S
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
26 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
37 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
G IPD079N06L3 IPD79N6L3GXT SP000453626
单位重量
4 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
8,000:¥1.5707
参考库存:46437
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 55Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 200mA 350mW
1:¥3.7629
10:¥2.712
100:¥1.5594
1,000:¥1.1413
3,000:¥0.9831
参考库存:46442
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN AMPL/SWITCH 120Vcbo 5.0Vebo
2,000:¥7.4241
4,000:¥7.1416
10,000:¥6.8704
参考库存:46447
晶体管
MOSFET N-Ch Dual MOSFET 20V VDSS 8V VGSS
2,500:¥1.2317
参考库存:53742
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 0.22K 10K
3,000:¥0.27685
9,000:¥0.23843
24,000:¥0.22261
45,000:¥0.20792
参考库存:46454
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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