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晶体管
IKW30N60H3FKSA1参考图片

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IKW30N60H3FKSA1

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库存:3,725(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥32.9621
32.9621
10
¥27.9675
279.675
100
¥24.2837
2428.37
250
¥23.052
5763
500
¥20.6677
10333.85
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
187 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW30N60H3 IKW3N6H3XK SP000703042
单位重量
5.420 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥156.2903
10:¥141.9958
25:¥131.3964
50:¥124.3226
参考库存:3404
晶体管
MOSFET Nch 100V Vdss 20A ID TO-252(DPAK); TO-252
1:¥18.9049
10:¥16.0573
100:¥12.8368
500:¥11.2209
1,000:¥9.2999
2,500:¥8.6784
参考库存:15436
晶体管
MOSFET N-channel 500 V, 0.45 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
1:¥12.6786
10:¥10.7576
100:¥8.6106
500:¥7.5371
2,500:¥5.8195
5,000:查看
参考库存:9168
晶体管
MOSFET MOSFT 30V 260A 2.4mOhm 160nC Qg
1:¥22.2045
10:¥18.8258
100:¥16.3624
250:¥15.5262
500:¥13.9103
800:¥13.9103
参考库存:17595
晶体管
MOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥19.5151
10:¥16.2155
100:¥12.5995
500:¥10.9836
3,000:¥10.9836
参考库存:25267
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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