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晶体管
STB12NM50T4参考图片

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STB12NM50T4

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 500 Volt 12 Amp
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库存:9,217(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥27.7415
27.7415
10
¥23.5944
235.944
100
¥20.4417
2044.17
250
¥19.3682
4842.05
500
¥17.3681
8684.05
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
350 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
160 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.6 mm
长度
10.4 mm
系列
STB12NM50
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
9.35 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
5.5 S
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型接通延迟时间
20 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块
1:¥1,958.2674
5:¥1,911.169
10:¥1,863.6751
25:¥1,837.5495
参考库存:2205
晶体管
MOSFET N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified
1:¥12.5204
10:¥10.3734
100:¥8.0682
500:¥7.0625
2,000:¥5.4466
4,000:查看
参考库存:13487
晶体管
MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.6A 1.2W
1:¥3.6838
10:¥3.0623
100:¥1.8645
1,000:¥1.4464
3,000:¥1.2317
参考库存:84519
晶体管
MOSFET 600V 29A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
1:¥30.6569
10:¥26.0465
100:¥22.5887
250:¥21.4361
参考库存:4546
晶体管
MOSFET Dual N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
1:¥10.9158
10:¥8.9948
100:¥6.8817
500:¥5.9212
1,000:¥4.6669
3,000:¥4.6669
参考库存:20083
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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