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晶体管
STGP20V60DF参考图片

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STGP20V60DF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT
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库存:2,690(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.1309
19.1309
10
¥16.2155
162.155
100
¥12.9837
1298.37
500
¥11.3678
5683.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.3 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
167 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGP20V60DF
封装
Tube
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2.300 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Power MOSFET N-Channel
1:¥21.7412
10:¥17.4472
100:¥15.9104
250:¥14.3736
2,500:¥10.3734
5,000:查看
参考库存:27820
晶体管
MOSFET N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
1:¥42.7253
10:¥36.3408
100:¥31.5044
250:¥29.8885
参考库存:8397
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SOT-1123 NBRT TRNSTR
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
8,000:¥0.66896
24,000:查看
参考库存:43449
晶体管
MOSFET 1.2V Drive Nch+Pch MOSFET
1:¥2.6894
10:¥1.7176
100:¥0.73789
1,000:¥0.56839
8,000:¥0.3842
24,000:查看
参考库存:72566
晶体管
MOSFET N-Ch 80V 120A D2PAK-2
1:¥21.357
10:¥18.1365
100:¥15.7522
250:¥14.9047
1,000:¥11.30
2,000:查看
参考库存:14123
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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