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晶体管
SUP53P06-20-E3参考图片

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SUP53P06-20-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 60V 53A 104.2W 19.5mohm @ 10V
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数量单价合计
1
¥22.3627
22.3627
10
¥18.5207
185.207
100
¥15.2889
1528.89
250
¥14.8256
3706.4
500
¥13.2888
6644.4
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
53 A
Rds On-漏源导通电阻
16 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
115 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
104.2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Tube
系列
SUP
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
20 S
下降时间
40 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VN3205N3-G P003
Microchip Technology
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥12.1362
10:¥10.1474
25:¥8.4524
100:¥7.684
2,000:¥4.9607
参考库存:28347
RN4990FE,LF(CT
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
4,000:¥0.30736
参考库存:28352
RN2904FE,LF
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 ES6 PLN
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
4,000:¥0.30736
参考库存:28357
IPSA70R1K4CEAKMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET
1:¥4.6895
10:¥3.9211
100:¥2.5312
1,000:¥2.034
参考库存:20137
MRF6V13250HSR5
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 250W 50V NI780HS
1:¥2,209.2291
5:¥2,175.2613
10:¥2,142.9094
25:¥2,096.6585
50:¥2,064.4648
参考库存:28364

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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