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晶体管
SIS322DNT-T1-GE3参考图片

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SIS322DNT-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
  • 数据手册下载
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库存:46,662(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.8364
4.8364
10
¥3.9211
39.211
100
¥2.9832
298.32
500
¥2.4634
1231.7
1,000
¥1.9662
1966.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
38.3 A
Rds On-漏源导通电阻
6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V, - 16 V
Qg-栅极电荷
21.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
19.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
3.3 mm
系列
SIS
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
54 S
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
15 ns
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Dual N-channel 100 V
1:¥10.2943
10:¥8.7575
100:¥6.7687
500:¥5.9777
1,000:¥4.7234
1,500:¥4.7234
参考库存:3601
晶体管
MOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 0806
1:¥2.9154
10:¥1.8984
100:¥0.92999
500:¥0.791
3,000:¥0.47686
6,000:查看
参考库存:34928
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
2,000:¥0.66105
参考库存:13185
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Multi-Chip Trans General Purpose
1:¥2.8476
10:¥2.147
100:¥1.1639
1,000:¥0.87575
3,000:¥0.75258
参考库存:21842
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Sgle NPN, 100mA
1:¥2.0792
10:¥1.356
100:¥0.66105
1,000:¥0.3842
3,000:¥0.29945
参考库存:13349
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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