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晶体管
2DB1119S-13参考图片

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2DB1119S-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 2.5K BIPOLAR
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数量单价合计
1
¥3.6838
3.6838
10
¥2.8137
28.137
100
¥1.5255
152.55
1,000
¥1.1413
1141.3
2,500
¥0.9831
2457.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
25 V
集电极—基极电压 VCBO
25 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
最大直流电集电极电流
1 A
增益带宽产品fT
200 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2DB11
直流电流增益 hFE 最大值
140
高度
1.5 mm
长度
4.5 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
2.5 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
140
Pd-功率耗散
1000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
52 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 600V, 8A, 600mOhm
1:¥14.2154
10:¥12.8368
100:¥10.3734
500:¥8.0682
参考库存:3577
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Hi-Pwr Amp
1:¥46.4882
10:¥41.5727
100:¥37.8776
250:¥34.1938
500:¥27.6624
参考库存:3994
晶体管
MOSFET -100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥17.8314
10:¥14.8256
100:¥11.526
500:¥10.0683
1,000:¥8.3733
3,000:¥8.3733
参考库存:148476
晶体管
MOSFET Power MOSFET, N-CHL, 30V, 61A, 8.8mOhm
1:¥5.2997
10:¥4.6895
100:¥3.5934
500:¥2.6555
2,500:¥1.8758
5,000:查看
参考库存:3583
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 30MHZ-3GHz 5W 50 Ohm Gain 18dB@2GHz 32V
1:¥345.78
25:¥307.36
100:¥268.94
250:¥245.888
参考库存:4375
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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