RN2702JE(TE85L,F)原装正品_库存数量_PDF手册

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	10 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SMV-5
直流集电极/Base Gain hfe Min	50
最大工作频率	200 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	100 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN2702
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
集电极—基极电压 VCBO	50 V
发射极 - 基极电压 VEBO	10 V
工作温度范围	- 55 C to + 150 C
商标	Toshiba
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	4000
子类别	Transistors

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
DTC124TCAT116	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 0.1A 22kO SOT-23	1:¥2.3052 10:¥1.5255 100:¥0.63732 1,000:¥0.43844 3,000:¥0.33787	参考库存:33041
MMBT2222ALT3G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SOT23 GP XSTR NPN 30V	1:¥1.1526 10:¥1.01474 100:¥0.3616 1,000:¥0.23843 10,000:¥0.16159 20,000:查看	参考库存:447308
DMP4013LFGQ-7	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V	1:¥6.6105 10:¥5.4918 100:¥3.5482 1,000:¥2.8363 2,000:¥2.8363	参考库存:18945
BSZ065N03LSATMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS	1:¥5.6839 10:¥4.7686 100:¥3.0736 1,000:¥2.4634 5,000:¥2.0792	参考库存:26532
STB24N60DM2	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package	1:¥23.3571 10:¥19.8202 100:¥17.2099 250:¥16.2946 500:¥14.6787 1,000:¥12.3735	参考库存:23029