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晶体管
IHW30N120R3参考图片

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IHW30N120R3

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
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库存:6,805(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥37.1092
37.1092
10
¥31.5044
315.044
100
¥27.2782
2727.82
250
¥25.8996
6474.9
500
¥23.2102
11605.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
349 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RC
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IHW30N120R3FKSA1 SP000999768
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
JFET N-Ch -40V JFET -0.5 50mA 375mW -0.2Vgs
51:¥140.0748
100:¥128.933
250:¥117.4861
500:¥109.8812
参考库存:40832
晶体管
MOSFET 800V, 6A, Single N- Channel Power MOSFET
4,000:¥7.5371
5,000:¥7.2546
10,000:¥7.0964
参考库存:40837
晶体管
达林顿晶体管 SMD Small Signal Transistor NPN
6,000:¥1.07576
9,000:¥0.99892
24,000:¥0.94468
45,000:¥0.92208
99,000:¥0.89157
参考库存:80732
晶体管
JFET 40V N-Ch JFET 40Vdg 50mA 360mW
暂无价格
参考库存:40844
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥597.1259
参考库存:40849
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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