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晶体管
STGP14NC60KD参考图片

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STGP14NC60KD

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 PowerMESH&#34 IGBT
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库存:22,609(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.752
11.752
10
¥9.9892
99.892
100
¥7.9891
798.91
500
¥6.9947
3497.35
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
11 A
Pd-功率耗散
28 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGP14NC60KD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
7 A
高度
9.15 mm
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
14 A
栅极—射极漏泄电流
150 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV121KH/CFM4F///REEL 13
1:¥4,136.139
5:¥4,072.52
10:¥4,011.8955
参考库存:25989
晶体管
MOSFET NCH 30V 30A WLCSP6 DUAL N-CHAN
1:¥7.3789
10:¥6.2376
100:¥4.7912
500:¥4.2375
5,000:¥2.9606
10,000:查看
参考库存:25994
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 16.4A ThinPAK-4 CoolMOS CP
1:¥26.3516
10:¥22.3627
100:¥19.436
250:¥18.4416
3,000:¥13.221
参考库存:17714
晶体管
MOSFET TAPE13 MOSFET
800:¥6.2037
4,800:¥6.2037
9,600:¥5.9664
参考库存:26001
晶体管
MOSFET P-Ch -60V -170mA SOT-23-3
1:¥2.5312
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
10,000:¥0.32996
20,000:查看
参考库存:99906
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    4小时快速发货

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