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晶体管
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STGP14NC60KD

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 PowerMESH&#34 IGBT
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数量单价合计
1
¥11.752
11.752
10
¥9.9892
99.892
100
¥7.9891
798.91
500
¥6.9947
3497.35
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
11 A
Pd-功率耗散
28 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGP14NC60KD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
7 A
高度
9.15 mm
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
14 A
栅极—射极漏泄电流
150 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPP60R280CFD7XKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET LOW POWER_NEW
1:¥16.6788
10:¥14.1363
100:¥11.30
500:¥9.9101
1,000:¥8.2264
参考库存:7860
NX3020NAKS,115
Nexperia
晶体管
MOSFET NX3020NAKS/SC-88/REEL 7" Q1/T1
1:¥2.6103
10:¥1.7854
100:¥0.75258
1,000:¥0.51528
3,000:¥0.40002
参考库存:217267
PSMN4R3-30BL,118
Nexperia
晶体管
MOSFET Std N-chanMOSFET
1:¥8.2264
10:¥6.9721
100:¥5.3675
500:¥4.746
800:¥3.7403
参考库存:23774
FF300R06KE3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 600V 400A
1:¥850.0764
5:¥834.4033
10:¥796.9099
25:¥770.321
参考库存:1641
SIHF065N60E-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-220
1:¥52.5563
10:¥47.3357
50:¥43.1095
100:¥38.8833
参考库存:6468

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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