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晶体管
STGB10NB40LZT4参考图片

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STGB10NB40LZT4

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 N-Ch Clamped 20 Amp
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库存:8,401(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥15.8313
15.8313
10
¥13.447
134.47
100
¥10.7576
1075.76
500
¥9.4468
4723.4
1,000
¥7.8422
7842.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.8 V
集电极—射极饱和电压
1.2 V
栅极/发射极最大电压
12 V
在25 C的连续集电极电流
20 A
Pd-功率耗散
150 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGB10NB40LZT4
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
20 A
高度
4.6 mm
长度
10.4 mm
宽度
9.35 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
20 A
栅极—射极漏泄电流
700 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2.240 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET T8 80V U8FL
1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.78
500:¥5.989
1,500:¥4.1923
9,000:查看
参考库存:12164
晶体管
MOSFET N-channel TrenchMOS standard level FET
800:¥7.9891
4,800:¥7.9891
9,600:¥7.6388
参考库存:27891
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP DIGITAL TRANSISTOR (B
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
8,000:¥0.66896
24,000:查看
参考库存:27896
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS SC59 BR XSTR NPN SPCL
3,000:¥0.37629
12,000:¥0.37629
24,000:¥0.35369
45,000:¥0.32996
参考库存:124676
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 10W TO270-2GN
1:¥168.3587
5:¥160.9798
10:¥155.2959
25:¥135.5435
500:¥116.8759
参考库存:27903
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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