NSBC124EPDXV6T1G原装正品_库存数量_PDF手册

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	22 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-563-6
直流集电极/Base Gain hfe Min	60
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	0.1 A
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	357 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	NSBC124EPDXV6
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	60
高度	0.55 mm
长度	1.6 mm
宽度	1.2 mm
商标	ON Semiconductor
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	4000
子类别	Transistors
单位重量	3 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
SIE802DF-T1-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 30V 202A 125W 1.9mohm @ 10V	3,000:¥13.5261 6,000:¥13.0628	参考库存:37317
MCU20P10-TP	Micro Commercial Components (MCC)	晶体管	PDF数据手册	MOSFET -100V, -12A, P Chann el Mosfet	30,000:¥2.8815	参考库存:37322
F20S60C3-7072	Shindengen	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Hi Switching Speed High Voltage	1,000:¥35.2673 2,000:¥34.4198	参考库存:37327
STAC3932F	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 900W 100V RF Mosfet in STAC pack	80:¥724.1379	参考库存:37332
SI7720DN-T1-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 30V 12A 52W 12.5mohm @ 10V	1:¥15.2098 10:¥12.6786 100:¥9.831 500:¥8.6106 3,000:¥6.6444 6,000:查看	参考库存:37337