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晶体管
BUJ302A,127参考图片

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BUJ302A,127

  • WeEn Semiconductors
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 400 V 4 A
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5.763
10
¥4.7686
47.686
100
¥3.0736
307.36
1,000
¥2.4634
2463.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
WeEn Semiconductors
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
400 V
发射极 - 基极电压 VEBO
19 V
集电极—射极饱和电压
0.6 V
最大直流电集电极电流
4 A
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
100
商标
WeEn Semiconductors
直流集电极/Base Gain hfe Min
25
Pd-功率耗散
80 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
零件号别名
934064985127
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTXV2N3506L
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JANTXV2N3500
Microsemi
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100:¥152.4483
250:¥139.8488
500:¥133.1592
参考库存:51889

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