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晶体管
2N5550TAR参考图片

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2N5550TAR

  • ON Semiconductor / Fairchild
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
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库存:50,792(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1.695
1.695
10
¥1.10627
11.0627
100
¥0.46104
46.104
1,000
¥0.31527
315.27
2,000
¥0.24634
492.68
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3 Kinked Lead
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
140 V
集电极—基极电压 VCBO
160 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
0.25 V
最大直流电集电极电流
0.6 A
增益带宽产品fT
300 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2N5550
直流电流增益 hFE 最大值
250
高度
4.7 mm
长度
4.7 mm
封装
Ammo Pack
宽度
3.93 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
0.6 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
Pd-功率耗散
625 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
零件号别名
2N5550TAR_NL
单位重量
240 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 Power BJT
100:¥413.0941
参考库存:37596
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQJ411EP-T1_GE3
1:¥14.2945
10:¥11.8311
100:¥9.2208
500:¥8.0682
1,000:¥6.6783
3,000:¥6.5879
参考库存:37601
晶体管
MOSFET -100V Vds +/-20V Vgs Rds(on) 0.20 @-10V
1,000:¥14.6787
3,000:¥13.9103
5,000:¥13.447
参考库存:37606
晶体管
MOSFET 20V Vds 20V Vgs PolarPAK
3,000:¥9.9101
6,000:¥9.5259
9,000:¥9.1417
参考库存:37611
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥789.6892
参考库存:37616
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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