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晶体管
IPA037N08N3 G参考图片

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IPA037N08N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 80V 75A TO220FP-3 OptiMOS 3
  • 数据手册下载
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库存：6,532(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥24.1255
24.1255
10
¥20.5208
205.208
100
¥17.8314
1783.14
250
¥16.9048
4226.2
500
¥15.142
7571
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
75 A
Rds On-漏源导通电阻
3.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
29 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
41 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
16.15 mm
长度
10.65 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.85 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
49 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
46 ns
典型接通延迟时间
23 ns
零件号别名
IPA037N08N3GXKSA1 IPA37N8N3GXK SP000446772
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CMXT2207 TR
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual Complementary
6,000:¥1.2882
9,000:¥1.1978
24,000:¥1.1413
45,000:¥1.10627
参考库存:33607
FF200R17KE3_S4
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1200V 200A
10:¥987.6991
30:¥967.0314
50:¥966.9523
100:¥918.6222
参考库存:46319
AGR19060EF
Advanced Semiconductor, Inc.
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.93-1.99GHz 12Watt Gain 15.5dB
10:¥699.244
30:¥619.3304
50:¥559.3952
100:¥539.4168
参考库存:46324
2N3507AU4
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥437.8298
参考库存:46329
CBCP69
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 25V 2A PNP
2,000:¥2.9154
10,000:¥2.8137
25,000:¥2.7233
参考库存:46334

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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