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晶体管
STP45N60DM6参考图片

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STP45N60DM6

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.085 typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFETs in TO-220 and TO-247 packages
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库存:9,483(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥47.5617
47.5617
10
¥43.0304
430.304
25
¥41.0303
1025.7575
100
¥35.5724
3557.24
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
99 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.25 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
44 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
210 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
系列
STP45N60DM6
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
7.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.3 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50 ns
典型接通延迟时间
15 ns
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP BJT NPN PNP 30V 1.5A 5PIN
1:¥3.616
10:¥2.938
100:¥1.7967
1,000:¥1.3899
3,000:¥1.1865
参考库存:6222
晶体管
IGBT 晶体管 600v Hi-Speed SW IGBT
1:¥21.2101
10:¥18.0574
100:¥15.6731
250:¥14.8256
1,000:¥11.2209
2,000:查看
参考库存:9284
晶体管
MOSFET 30V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
1:¥3.842
10:¥2.8928
100:¥2.147
500:¥1.7628
3,000:¥1.243
6,000:查看
参考库存:51121
晶体管
IGBT 晶体管 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGBT
1:¥20.9728
10:¥17.8314
100:¥14.2945
500:¥12.4526
参考库存:21883
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V 20MA
1:¥2.6894
10:¥1.7967
100:¥0.75258
1,000:¥0.51528
3,000:¥0.40002
参考库存:339270
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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