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晶体管
ZTX618STZ参考图片

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ZTX618STZ

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Gain
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库存:22,550(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.8421
5.8421
10
¥4.9155
49.155
100
¥3.164
316.4
1,000
¥2.5312
2531.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
20 V
集电极—基极电压 VCBO
20 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
210 mV
最大直流电集电极电流
3.5 A
增益带宽产品fT
140 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZTX618
直流电流增益 hFE 最大值
200 at 10 mA, 2 V
高度
4.01 mm
长度
4.77 mm
封装
Bulk
宽度
2.41 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
3.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
200 at 10 mA, 2 V, 300 at 200 mA, 2 V, 170 at 3 A, 2 V, 40 at 10 A, 2 V
Pd-功率耗散
1 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥27.8206
10:¥24.8148
100:¥20.3626
250:¥19.3682
3,000:¥12.8368
参考库存:16501
晶体管
MOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
1:¥67.235
100:¥64.6247
500:¥61.472
参考库存:7998
晶体管
MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥22.3627
10:¥18.5207
100:¥15.2889
250:¥14.8256
500:¥13.2888
3,000:¥13.2888
参考库存:25725
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 127A 6mOhm 120nC Qg
1:¥24.6679
10:¥20.905
100:¥18.1365
250:¥17.2099
500:¥15.4471
参考库存:26487
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP -400V Vceo -100mA Ic MPT3
1:¥4.9946
10:¥4.1245
100:¥2.5086
1,000:¥1.9436
2,000:¥1.6611
参考库存:11814
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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