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晶体管
DSM80101M-7参考图片

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DSM80101M-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Trans Dual 400mW Switching -80V
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1
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3.0736
10
¥2.5764
25.764
100
¥1.5707
157.07
1,000
¥1.2204
1220.4
3,000
¥1.03734
3112.02
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-26-6
晶体管极性
NPN
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
80 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
300 mV
最大直流电集电极电流
500 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
DSM801
直流电流增益 hFE 最大值
350 at 10 mA, 1 V
高度
1.1 mm
长度
3 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.6 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
500 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
600 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 20V FET 6A 2.2W 630pF
暂无价格
参考库存:58785
晶体管
MOSFET SOT-23-3L MOSFET
12,000:¥0.41471
24,000:¥0.4068
参考库存:58790
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥648.7556
参考库存:58795
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥128.481
250:¥117.181
500:¥109.5761
参考库存:58800
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
50:¥622.63
100:¥609.1152
参考库存:58805
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