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晶体管
STGW40V60F参考图片

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STGW40V60F

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V 40A Trench Gate 1.8V Vce IGBT
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库存：7,543(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥31.1202
31.1202
10
¥26.4307
264.307
100
¥22.8938
2289.38
250
¥21.7412
5435.3
500
¥19.5151
9757.55
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.35 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
283 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW40V60F
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
40 A
商标
STMicroelectronics
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTX2N3499L/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥141.0805
250:¥129.4754
500:¥123.2491
参考库存:58387
JANTX2N3637L/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥175.2743
250:¥160.8216
500:¥153.0698
参考库存:58392
ALD910018SAL
Advanced Linear Devices
晶体管
MOSFET Dual SAB MOSFET ARRAY VT=1.80V
50:¥21.6734
100:¥20.2835
250:¥18.2834
500:¥16.4415
参考库存:58397
JAN2N5153L
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥127.8595
250:¥116.5708
500:¥109.0337
参考库存:58402
STP120N4F6
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 3.5m Ohm 80A STripFET VI
1:¥16.6788
10:¥14.2154
100:¥11.3678
500:¥9.9101
参考库存:13670

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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