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晶体管
IPD50N06S4L12ATMA2参考图片

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IPD50N06S4L12ATMA2

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库存:36,852(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.2263
6.2263
10
¥5.2319
52.319
100
¥3.3787
337.87
1,000
¥2.7007
2700.7
2,500
¥2.2826
5706.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
7.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
49 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
50 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
IPD50N06
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
-
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
6 ns
零件号别名
IPD50N06S4L-12 IPD5N6S4L12XT SP001028640
单位重量
4 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
1,000:¥22.5887
3,000:¥21.4361
参考库存:42402
晶体管
MOSFET 100V N-Chnl UMOS
10,000:¥2.0566
参考库存:102065
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI3333-8 T&R 2K
1:¥3.9211
10:¥3.2883
100:¥2.0001
1,000:¥1.5481
2,000:¥1.3221
参考库存:42409
晶体管
MOSFET Small Signal Mosfet
1:¥3.7629
10:¥2.7798
100:¥1.7515
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:42414
晶体管
MOSFET TRENCH 30V NCH
1:¥6.3054
10:¥5.2545
100:¥3.39
1,000:¥2.712
1,500:¥2.2939
参考库存:42419
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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