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晶体管
TK31E60W,S1VX参考图片

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TK31E60W,S1VX

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30.8A 290W FET 600V 3000pF 86nC
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数量单价合计
1
¥58.6244
58.6244
10
¥52.7936
527.936
50
¥48.1041
2405.205
100
¥43.4146
4341.46
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
30.8 A
Rds On-漏源导通电阻
73 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
86 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
230 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
DTMOSIV
高度
15.1 mm
长度
10.16 mm
系列
TK31E60W
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.45 mm
商标
Toshiba
下降时间
8.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
32 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
165 ns
典型接通延迟时间
70 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ULN2069B
STMicroelectronics
晶体管
达林顿晶体管 1.5 Amp Quad Switch
1:¥20.5886
10:¥17.4472
100:¥13.9894
500:¥12.2153
参考库存:5001
BSP88 H6327
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 240V 350mA SOT-223-3
1:¥4.1471
10:¥3.4917
100:¥2.1357
1,000:¥1.6498
2,000:¥1.4012
参考库存:16888
VN0300L-G-P002
Microchip Technology
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥8.9948
10:¥8.8366
25:¥7.5145
100:¥6.8026
2,000:¥4.6443
4,000:查看
参考库存:8510
PUMH18,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7
1:¥2.4634
10:¥1.7176
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:80222
RN1606(TE85L,F)
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Gen Trans NPN x 2 SM6, 50V, 100A
1:¥4.2262
10:¥2.3278
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.58421
参考库存:33599

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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