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晶体管
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HUF76407D3ST

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库存:15,220(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.1472
6.1472
10
¥5.1076
51.076
100
¥3.2996
329.96
1,000
¥2.6329
2632.9
2,500
¥2.6329
6582.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
77 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
38 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
系列
HUF76407D3S
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
45 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
32 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
43 ns
典型接通延迟时间
5 ns
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 100Vcbo 100Vceo 5.0Vebo 12A 150W
120:¥71.1561
260:¥64.8507
参考库存:48642
晶体管
JFET Dual N-Ch JFET -60V 400mW 750mW
65:¥110.8078
100:¥101.9712
250:¥92.9764
500:¥86.9083
参考库存:48647
晶体管
MOSFET 60V 12A 24W 36mohm @ 10V
2,500:¥2.9041
5,000:¥2.7685
10,000:¥2.6555
25,000:¥2.5764
参考库存:48652
晶体管
IGBT 模块 SLLIMM-nano 2nd series IPM, 3 A, 600 V 3-phase IGBT inverter bridge
1:¥62.0822
10:¥56.1723
25:¥53.562
100:¥46.4882
参考库存:7747
晶体管
IGBT 模块 1700V 75A IGBT
100:¥592.0522
参考库存:48659
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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