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晶体管
2SD1805F-TL-E参考图片

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2SD1805F-TL-E

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 5A 20V
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数量单价合计
1
¥6.6105
6.6105
10
¥5.4805
54.805
100
¥3.5369
353.69
700
¥2.825
1977.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
20 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
0.22 V
最大直流电集电极电流
8 A
增益带宽产品fT
120 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2SD1805
直流电流增益 hFE 最大值
560
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
5 A
Pd-功率耗散
15 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
700
子类别
Transistors
单位重量
281.380 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt
1:¥3,146.7562
参考库存:4720
晶体管
MOSFET 100V 60A 104W 14mohm @ 10V
1:¥24.5097
10:¥20.2835
100:¥16.6788
250:¥16.2155
500:¥14.5205
3,000:¥14.5205
参考库存:25457
晶体管
MOSFET 40V StrongIRFET 195A,1.6mOhm,216nC
1:¥19.7524
10:¥16.7466
100:¥13.447
500:¥11.752
800:¥9.6841
2,400:¥9.605
参考库存:27194
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230H
1:¥1,342.553
5:¥1,312.6532
10:¥1,285.8383
25:¥1,266.8656
150:¥1,220.9085
参考库存:6056
晶体管
JFET SS SOT23 JFET PCH 30
1:¥4.5313
10:¥3.8081
100:¥2.3278
1,000:¥1.7967
3,000:¥1.5368
参考库存:22118
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    4小时快速发货

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