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晶体管
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APT50GN60BDQ2G

  • Microsemi
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  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi
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数量单价合计
1
¥71.4612
71.4612
10
¥64.3196
643.196
25
¥58.5566
1463.915
100
¥52.8614
5286.14
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
107 A
Pd-功率耗散
366 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
107 A
高度
5.31 mm
长度
21.46 mm
工作温度范围
- 55 C to + 175 C
宽度
16.26 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
107 A
栅极—射极漏泄电流
600 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMRF2010NR1
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF2010N/FM14F///REEL 13 Q2 DP
500:¥1,983.0144
参考库存:51022
DXTP03200BP5-13
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200V PNP High Volt Vceo -200V 3.2W
5,000:¥2.4634
参考库存:133317
STU5N70M6-S
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET
3,000:¥3.8872
参考库存:51029
DMN3270UVT-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
10,000:¥0.88366
参考库存:51034
AGR26125EF
Advanced Semiconductor, Inc.
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.5-2.7GHz 20Watt Gain 11.5dB
10:¥887.502
30:¥786.0732
50:¥710.0016
100:¥684.6444
参考库存:51039

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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