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晶体管
APT50GN60BDQ2G参考图片

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APT50GN60BDQ2G

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi
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数量单价合计
1
¥71.4612
71.4612
10
¥64.3196
643.196
25
¥58.5566
1463.915
100
¥52.8614
5286.14
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
107 A
Pd-功率耗散
366 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
107 A
高度
5.31 mm
长度
21.46 mm
工作温度范围
- 55 C to + 175 C
宽度
16.26 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
107 A
栅极—射极漏泄电流
600 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPP60R280P6XKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 13.8A TO220-3
1:¥16.5206
10:¥14.0572
100:¥11.2209
500:¥9.831
1,000:¥8.1473
参考库存:4397
IPW65R190C7XKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥26.4307
10:¥22.5096
100:¥19.5151
250:¥18.5207
500:¥16.5997
参考库存:5004
CSD18533KCS
Texas Instruments
晶体管
MOSFET 60V N-Chnl NxFT Pwr MSFT ..
1:¥11.526
10:¥9.7632
100:¥7.7631
500:¥6.8365
参考库存:5441
APT7F80K
Microsemi
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS8
暂无价格
参考库存:31398
MJE170G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 3A 40V 12.5W PNP
1:¥4.3844
10:¥3.5934
100:¥2.1922
1,000:¥1.695
2,500:¥1.4464
参考库存:5053

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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