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产品分类

晶体管
NJD35N04G参考图片

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NJD35N04G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 POWER DARL TRANSIST
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库存:12,275(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.9947
6.9947
10
¥5.9212
59.212
100
¥4.5539
455.39
500
¥4.0228
2011.4
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
350 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
700 V
最大直流电集电极电流
4 A
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3 (DPAK)
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
NJD35N04
封装
Tube
高度
2.38 mm
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
2000, 300
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
75
子类别
Transistors
单位重量
426 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS SC59 BR XSTR PNP 50V
1:¥1.1526
10:¥1.02152
100:¥0.3616
1,000:¥0.23843
3,000:¥0.18419
参考库存:149458
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-7
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
4,000:¥1.5594
参考库存:14685
晶体管
MOSFET N-Channel
1:¥3.5369
10:¥2.7233
100:¥1.4803
1,000:¥1.10627
3,000:¥0.95259
9,000:¥0.89157
参考库存:18577
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1200V 150A
1:¥1,348.7002
5:¥1,316.2692
10:¥1,283.6122
25:¥1,265.6339
参考库存:2259
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP High Voltage
1:¥3.2996
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
3,000:¥0.89948
9,000:¥0.83733
参考库存:50546
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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