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晶体管
TK31A60W,S4VX参考图片

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TK31A60W,S4VX

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30.8A 45W FET 600V 3000pF 86nC
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数量单价合计
1
¥57.4718
57.4718
10
¥51.7088
517.088
50
¥47.0984
2354.92
100
¥42.5671
4256.71
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
30.8 A
Rds On-漏源导通电阻
73 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
86 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
15 mm
长度
10 mm
系列
TK31A60W
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Toshiba
下降时间
8.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
32 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
165 ns
典型接通延迟时间
70 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STN3N40K3
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 400V 3.3 Ohm 3A SuperMESH3 3.3W
1:¥4.6104
10:¥3.8759
100:¥2.3617
1,000:¥1.8306
4,000:¥1.5594
参考库存:42364
ZTX718
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP High Gain
1:¥5.8421
10:¥4.9155
100:¥3.164
1,000:¥2.5312
参考库存:21256
IRG7PH46UD-EP
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT DISCRETES
1:¥91.1345
10:¥83.7556
25:¥80.2978
100:¥70.7719
参考库存:6313
SIA456DJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 200V Vds 16V Vgs PowerPAK SC-70
1:¥7.2207
10:¥5.9777
100:¥4.5878
500:¥3.955
3,000:¥3.955
参考库存:13495
ZXMN6A09KTC
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET N-CH 60V
1:¥12.5995
10:¥10.7576
100:¥8.6106
500:¥7.5371
1,000:¥6.2376
2,500:¥6.2376
参考库存:14507

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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