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晶体管
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FDH047AN08A0

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库存:3,122(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥40.341
40.341
10
¥34.2729
342.729
100
¥29.7416
2974.16
250
¥28.2048
7051.2
500
¥25.2781
12639.05
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
75 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
4.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
310 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Tube
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
系列
FDH047AN08A0
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.82 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
45 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
88 ns
工厂包装数量
450
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
18 ns
零件号别名
FDH047AN08A0_NL
单位重量
6.390 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET NCH 2.5V DRIVE SERIE
1:¥4.0002
10:¥2.9945
100:¥1.6272
1,000:¥1.2204
参考库存:41749
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor NPN 100mA 50V 22kohm
1:¥1.695
10:¥1.06785
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
8,000:¥0.20001
24,000:查看
参考库存:41754
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2.1GHZ 230W NI780S-6
1:¥877.9761
5:¥860.9131
10:¥832.4823
25:¥797.2941
50:¥786.2992
参考库存:41759
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 47K
3,000:¥0.27685
9,000:¥0.23843
24,000:¥0.22261
45,000:¥0.20792
参考库存:41764
晶体管
MOSFET MOSFETBVDSS: 25V-30V
1:¥3.5369
10:¥2.938
100:¥1.7967
1,000:¥1.3899
3,000:¥1.1865
参考库存:361427
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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