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晶体管
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MMBTA64LT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 500mA 30V PNP
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数量单价合计
1
¥1.6159
1.6159
10
¥1.4238
14.238
100
¥0.49946
49.946
1,000
¥0.32996
329.96
3,000
¥0.25312
759.36
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
是
配置
Single
晶体管极性
PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
10 V
集电极—基极电压 VCBO
30 V
最大直流电集电极电流
0.5 A
最大集电极截止电流
0.1 uA
Pd-功率耗散
225 mW
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MMBTA64L
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.94 mm
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
- 0.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
10000
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VS-GB400AH120N
Vishay Semiconductors
晶体管
IGBT 模块 Output & SW Modules - DIAP IGBT
暂无价格
参考库存:43651
STGW60H65DFB-4
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed
1:¥64.0032
10:¥57.856
25:¥55.1666
100:¥47.8668
参考库存:11546
APTGT300A120G
Microsemi
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IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥1,310.2802
参考库存:43658
IKP20N60TA
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
500:¥15.142
1,000:¥12.7577
2,500:¥12.1362
5,000:¥11.6842
参考库存:43663
FS25R12YT3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 40A
20:¥437.6038
40:¥423.5466
60:¥423.4675
100:¥392.4264
参考库存:43668

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