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晶体管
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2N6038G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 4A 60V Bipolar Power NPN
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数量单价合计
1
¥5.6048
5.6048
10
¥4.633
46.33
100
¥2.9945
299.45
1,000
¥2.3843
2384.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
是
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
最大直流电集电极电流
4 A
最大集电极截止电流
500 uA
Pd-功率耗散
40 W
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-225-3
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2N6038
封装
Bulk
高度
11.04 mm
长度
7.74 mm
宽度
2.66 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
100, 500, 750
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
500
子类别
Transistors
单位重量
2 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
6MS20017E43W38170
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥241,844.295
参考库存:41113
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晶体管
MOSFET 500V 13A Single NChn Power MOSFET
4,000:¥6.2376
10,000:¥6.1133
参考库存:41118
PTVA102001EA-V1-R0
Wolfspeed / Cree
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
1:¥1,046.8659
50:¥1,046.8659
参考库存:6263
2N3904
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TO-92
20,000:¥0.10735
参考库存:41125
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Taiwan Semiconductor
晶体管
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5,000:¥1.4916
10,000:¥1.4577
25,000:¥1.4012
参考库存:41130

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