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晶体管
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MJE803G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 4A 80V Bipolar Power NPN
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数量单价合计
1
¥4.3844
4.3844
10
¥3.6047
36.047
100
¥2.3278
232.78
1,000
¥1.8645
1864.5
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
是
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
最大直流电集电极电流
4 A
最大集电极截止电流
100 uA
Pd-功率耗散
40 W
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-225
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MJE802
封装
Bulk
高度
11.04 mm
长度
7.74 mm
宽度
2.66 mm
商标
ON Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
100
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
500
子类别
Transistors
单位重量
681 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FS300R17KE3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 1700V 300A 3-PHASE
4:¥4,329.8549
8:¥4,068.904
参考库存:51351
JAN2N2907AUB/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥76.0716
250:¥69.3142
500:¥64.8507
1,000:¥59.4719
参考库存:51356
TPC6010-H(TE85L,FM
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch 60V FET 6.1A 2.2W 640pF
暂无价格
参考库存:51361
CGHV40180F
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT
1:¥2,663.9637
参考库存:1834
STP260N6F6
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 0.0016 Ohm 180A DeepGATE VI
1:¥46.7142
10:¥39.7308
100:¥34.4198
250:¥32.657
参考库存:6631

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