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晶体管
CSD25481F4T参考图片

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CSD25481F4T

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 20V ,PCh FemtoFET MOSFET
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库存:27,245(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.9154
2.9154
10
¥2.2261
22.261
100
¥1.1978
119.78
250
¥1.1978
299.45
1,000
¥0.89948
899.48
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PICOSTAR-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
2.5 A
Rds On-漏源导通电阻
800 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
950 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
913 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
FemtoFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.35 mm
长度
1 mm
系列
CSD25481F4
晶体管类型
1 P-Channel
类型
FemtoFET MOSFET
宽度
0.64 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
3.3 S
下降时间
6.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.6 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16.9 ns
典型接通延迟时间
4.1 ns
单位重量
0.400 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 1200V 75A Dual
1:¥501.6861
5:¥492.4653
10:¥472.1027
25:¥457.3562
参考库存:1896
晶体管
MOSFET 30V 2.1A N-Channel
1:¥3.5369
10:¥2.7007
100:¥1.469
1,000:¥1.09836
3,000:¥0.94468
9,000:¥0.88366
参考库存:261103
晶体管
MOSFET N-Channel 600V 4A
1:¥8.1473
10:¥6.9947
100:¥5.3788
500:¥4.7573
1,000:¥3.7516
2,500:¥3.7516
参考库存:22145
晶体管
MOSFET 40V P-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥5.2997
10:¥4.3844
100:¥2.825
1,000:¥2.2713
2,500:¥2.2713
参考库存:77612
晶体管
MOSFET -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥6.9156
10:¥5.65
100:¥4.3392
500:¥3.729
1,000:¥3.5256
3,000:¥3.2657
参考库存:159269
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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