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晶体管
TK100A10N1,S4X参考图片

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TK100A10N1,S4X

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET NCh 3.1ohm VGS10V10uAVDS100V
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数量单价合计
1
¥30.8151
30.8151
10
¥24.747
247.47
100
¥22.5887
2258.87
250
¥20.3626
5090.65
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
3.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
140 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
DTMOSIV
高度
15 mm
长度
10 mm
系列
TK100A10N1
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FSB660A
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Transistor Low Saturation
1:¥3.1527
10:¥2.4634
100:¥1.3334
1,000:¥0.99892
3,000:¥0.86106
参考库存:15191
MMBT2907AT-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) -60V 150mW
1:¥2.7685
10:¥1.7515
100:¥0.75258
1,000:¥0.5763
3,000:¥0.43844
参考库存:154213
TDB6HK240N16P
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1600V 240A
1:¥1,046.3348
5:¥1,025.814
10:¥977.9472
25:¥957.4264
参考库存:1620
BSP129 H6906
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 240V 50mA SOT-223-3
1:¥7.1416
10:¥6.1133
100:¥4.7008
500:¥4.1471
1,000:¥3.277
参考库存:3112
SIHP5N50D-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
1:¥8.6784
10:¥7.1529
100:¥5.4918
500:¥4.7234
1,000:¥3.729
参考库存:29504

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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