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晶体管
DMP3085LSS-13参考图片

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DMP3085LSS-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch ENH FET -30V 70mOhm -10V -3.8A
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库存:26,088(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.9945
2.9945
10
¥2.1244
21.244
100
¥0.97632
97.632
1,000
¥0.75258
752.58
2,500
¥0.63732
1593.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
3.8 A, 5.6 A
Rds On-漏源导通电阻
70 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
11 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.6 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMP3085
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
5.8 S
下降时间
14.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14.6 ns
典型接通延迟时间
4.8 ns
单位重量
74 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 600V Low-Vceon
1:¥30.5778
10:¥25.9674
100:¥22.5096
250:¥21.357
500:¥19.21
参考库存:20132
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP BJT NPN 30V 1A 5PIN
1:¥4.2262
10:¥3.4917
100:¥2.1357
1,000:¥1.6498
3,000:¥1.4012
参考库存:11679
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1700V 450A
1:¥5,365.5112
5:¥5,279.6764
参考库存:1991
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-10 100V SOT323 T&R 3K
1:¥3.5369
10:¥2.6894
100:¥1.4577
1,000:¥1.09836
3,000:¥0.94468
9,000:¥0.88366
参考库存:21673
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
1:¥2.9945
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.00683
参考库存:19850
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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