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晶体管
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ARF463AP1G

  • Microsemi
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
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数量单价合计
1
¥277.0082
277.0082
5
¥264.5556
1322.778
10
¥256.2614
2562.614
25
¥235.5146
5887.865
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
9 A
Vds-漏源极击穿电压
500 V
增益
15 dB
输出功率
100 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
封装
Tube
工作频率
100 MHz
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
类型
RF Power MOSFET
商标
Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值
2 mS
通道模式
Enhancement
下降时间
4.2 ns
Pd-功率耗散
180 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
上升时间
4.3 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DDTD114GC-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 10K
3,000:¥0.33787
9,000:¥0.29154
24,000:¥0.27685
45,000:¥0.25312
参考库存:62008
FCH165N65S3R0-F155
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET SF3 650V 165MOHM 19A
450:¥17.063
900:¥15.2889
1,350:¥12.9046
2,700:¥12.2944
参考库存:4260
2PD601ASL,215
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 50V 100MA NPN GEN-PURPOSE TRAN
3,000:¥0.20001
9,000:¥0.1695
24,000:¥0.15368
45,000:¥0.13786
99,000:¥0.11526
参考库存:44722
BUJ403A/DG,127
WeEn Semiconductors
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN POWER TRANSISTOR
5,000:¥2.4973
10,000:¥2.4069
25,000:¥2.3052
参考库存:44727
PUMD13,135
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN/PNP RESISTOR EQUIPPED TRANSISTOR
10,000:¥0.29945
20,000:¥0.27685
50,000:¥0.26103
100,000:¥0.23052
参考库存:44732

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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