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晶体管
STP9NK60ZFP参考图片

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STP9NK60ZFP

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch, 600V-0.85ohms 7A
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库存:5,763(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.6734
21.6734
10
¥18.3625
183.625
100
¥14.7578
1475.78
500
¥12.9046
6452.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
7 A
Rds On-漏源导通电阻
950 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.75 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
38 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
30 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
SuperMESH
封装
Tube
高度
9.3 mm
长度
10.4 mm
系列
STP9NK60ZFP
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
5.3 S
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
43 ns
典型接通延迟时间
19 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-ch 60V 3.0 mOhm MOSFET
5,000:¥8.6784
10,000:¥8.3733
参考库存:50513
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Low Noise Matched Dual NPN
2,500:¥28.2048
参考库存:50518
晶体管
MOSFET UMOSVIII 200V 126m (VGS=10V) TSON-ADV
5,000:¥4.52
10,000:¥4.3505
参考库存:50523
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥6.7574
10:¥5.6613
100:¥3.6499
1,000:¥2.9154
参考库存:20318
晶体管
IGBT 模块
10:¥992.2304
30:¥971.3367
参考库存:50530
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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