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晶体管
KSC5338D参考图片

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KSC5338D

  • ON Semiconductor / Fairchild
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Triple Diffused Planar Silicon
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数量单价合计
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8.2942
10
¥7.0512
70.512
100
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541.27
500
¥4.7912
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
450 V
集电极—基极电压 VCBO
1 kV
发射极 - 基极电压 VEBO
12 V
集电极—射极饱和电压
0.35 V
最大直流电集电极电流
5 A
增益带宽产品fT
11 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
KSC5338D
高度
9.4 mm (Max)
长度
10.1 mm (Max)
封装
Bulk
宽度
4.7 mm (Max)
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
25
Pd-功率耗散
75 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1200
子类别
Transistors
零件号别名
KSC5338D_NL
单位重量
1.800 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CMXT2207 TR
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual Complementary
6,000:¥1.2882
9,000:¥1.1978
24,000:¥1.1413
45,000:¥1.10627
参考库存:33607
FF200R17KE3_S4
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1200V 200A
10:¥987.6991
30:¥967.0314
50:¥966.9523
100:¥918.6222
参考库存:46319
AGR19060EF
Advanced Semiconductor, Inc.
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.93-1.99GHz 12Watt Gain 15.5dB
10:¥699.244
30:¥619.3304
50:¥559.3952
100:¥539.4168
参考库存:46324
2N3507AU4
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥437.8298
参考库存:46329
CBCP69
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 25V 2A PNP
2,000:¥2.9154
10,000:¥2.8137
25,000:¥2.7233
参考库存:46334

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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