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晶体管
CSD18504KCS参考图片

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CSD18504KCS

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 40V N-Ch NexFET Pwr MOSFET
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库存:7,436(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.9101
9.9101
10
¥8.4524
84.524
100
¥6.4975
649.75
500
¥5.7404
2870.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.9 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
19 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
93 W
配置
Single
商标名
NexFET
封装
Tube
高度
16.51 mm
长度
10.67 mm
系列
CSD18504KCS
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
72 S
下降时间
4.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.2 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11.2 ns
典型接通延迟时间
4.4 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 36A TDSON-8 OptiMOS
1:¥4.4522
10:¥3.729
100:¥2.4069
1,000:¥1.9323
5,000:¥1.6272
参考库存:10804
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Gain & Crnt
1:¥6.1472
10:¥5.1302
100:¥3.2996
1,000:¥2.6442
参考库存:10606
晶体管
IGBT 晶体管 FS2PIGBT TO3PN 30A 650V
1:¥28.3517
10:¥24.0464
100:¥20.905
250:¥19.8202
参考库存:4708
晶体管
MOSFET 12V P-Channel Trench MOSFET
1:¥3.2318
10:¥2.4295
100:¥1.3221
1,000:¥0.99101
9,000:¥0.79891
18,000:查看
参考库存:24210
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LO VCESAT(BISS)TRANS
1:¥2.6103
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
3,000:¥0.71416
参考库存:10447
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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