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晶体管
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ZUMT491TA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Medium Power
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数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.7233
27.233
100
¥1.4803
148.03
1,000
¥1.10627
1106.27
3,000
¥0.95259
2857.77
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
500 mV
最大直流电集电极电流
1 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZUMT491
高度
1 mm
长度
2.2 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.26 mm
商标
Diodes Incorporated
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
5 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ZVN3320FTA
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET N-Chnl 200V
1:¥3.2996
10:¥2.7685
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:191766
FF300R12KE4
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 460A
1:¥972.5684
5:¥953.4262
10:¥909.0172
参考库存:3423
DMN65D8LFB-7B
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-10 X1-DFN1006-3 T&R 10K
1:¥2.4634
10:¥1.6272
100:¥0.68365
1,000:¥0.46104
2,500:¥0.3616
10,000:¥0.30736
参考库存:132735
STGD5H60DF
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
1:¥7.5258
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
2,500:¥3.0623
10,000:查看
参考库存:27297
IPW60R041P6FKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
1:¥88.592
10:¥80.1396
25:¥76.3767
100:¥66.3084
参考库存:5799

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    50万现货SKU

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