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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ROHM Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	2.2 kOhms
典型电阻器比率	0.047
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-416-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	80
集电极连续电流	- 100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	DTA123JE
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	80
高度	0.7 mm
长度	1.6 mm
宽度	0.8 mm
商标	ROHM Semiconductor
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
零件号别名	DTA123JE
单位重量	6 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
SPA11N60CFD	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 600V 11A TO220FP CoolMOS CFD	1:¥21.2101 10:¥18.0574 100:¥15.6731 250:¥14.8256	参考库存:5613
IRG6B330UDPBF	Infineon / IR	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 IGBT DISCRETES	1:¥33.3463 10:¥28.3517 100:¥24.5888 250:¥23.278	参考库存:4660
DMP32D4S-13	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET P-Ch ENH FET -30V 2.4mOhm -10V -300mA	1:¥2.8476 10:¥2.0227 100:¥0.92999 1,000:¥0.71416 10,000:¥0.5537 20,000:查看	参考库存:95117
CSD17571Q2	Texas Instruments	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 30V N-CH Pwr MOSFETs	1:¥3.7629 10:¥3.1527 100:¥1.8984 1,000:¥1.469 3,000:¥1.2543	参考库存:28384
BF2040E6814HTSA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode 5V	1:¥3.3787 10:¥2.4295 100:¥1.11418 1,000:¥0.86106 3,000:¥0.72998	参考库存:42286