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晶体管
NST846BF3T5G参考图片

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NST846BF3T5G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN GP TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥2.9945
2.9945
10
¥1.9888
19.888
100
¥0.82942
82.942
1,000
¥0.56839
568.39
8,000
¥0.37629
3010.32
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-1123-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
65 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
600 mV
最大直流电集电极电流
100 mA
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
NST846BF3T5G
直流电流增益 hFE 最大值
200 at 2 mA, 5 V
高度
0.37 mm
长度
0.6 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
0.8 mm
商标
ON Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
200 at 2 mA, 5 V
Pd-功率耗散
347 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
8000
子类别
Transistors
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CDM2206-800LR
Central Semiconductor
晶体管
MOSFET N-Ch 800V LR FET 6.0A 2.8nC 0.8Ohm
1:¥11.6842
10:¥10.4525
100:¥8.3733
500:¥7.2772
参考库存:38946
APTGLQ50DDA65T3G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块
100:¥350.7746
250:¥343.3957
参考库存:38951
SI4362BDY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V 19.8A 6.6W 4.6mohm @ 10V
2,500:¥8.9157
5,000:¥8.5315
10,000:¥8.2264
参考库存:38956
QPD1881L
Qorvo
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 400 Watt, 50 Volt, 2.7-2.9 GHz, GaN RF Transistor
25:¥2,151.52
参考库存:38961
PTFB091802FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥524.7381
参考库存:38966

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

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