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晶体管
DMN3008SFG-7参考图片

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DMN3008SFG-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 30V N-Ch Enh FET 4.6mOhm 10Vgs 17.6A
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数量单价合计
1
¥4.7686
4.7686
10
¥4.0002
40.002
100
¥2.5764
257.64
1,000
¥2.0679
2067.9
2,000
¥2.0679
4135.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI3333-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
17.6 A
Rds On-漏源导通电阻
4.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
41 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerDI
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN3008
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
28.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
63.7 ns
典型接通延迟时间
5.7 ns
单位重量
72 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 50V 3A Transistor
1:¥4.5313
10:¥3.7516
100:¥2.2939
1,000:¥1.7628
2,000:¥1.5029
参考库存:9279
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANS GP BJT PNP 80V 0.5A
1:¥1.921
10:¥1.3108
100:¥0.54579
1,000:¥0.37629
3,000:¥0.29154
参考库存:181621
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicon AF TRANSISTOR
1:¥1.6159
10:¥1.3221
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
10,000:¥0.24634
20,000:查看
参考库存:163923
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥201.0157
5:¥192.0209
10:¥185.9528
25:¥170.8899
参考库存:1985
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN Silicon Digital TRANSISTOR
1:¥3.2318
10:¥2.2826
100:¥1.04525
1,000:¥0.80682
3,000:¥0.68365
参考库存:32082
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    4小时快速发货

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