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晶体管
BSS159N H6327参考图片

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BSS159N H6327

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库存:191,545(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.842
3.842
10
¥2.938
29.38
100
¥1.5933
159.33
1,000
¥1.1978
1197.8
3,000
¥1.02943
3088.29
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
230 mA
Rds On-漏源导通电阻
3.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
1.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
360 mW
配置
Single
通道模式
Depletion
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
BSS159
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
100 mS
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.9 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
9 ns
典型接通延迟时间
3.1 ns
零件号别名
BSS159NH6327XT BSS159NH6327XTSA2 SP000919328
单位重量
8 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V N-Ch PowerTrench SyncFET
1:¥10.6785
10:¥9.1417
100:¥6.9947
500:¥6.1811
1,000:¥4.8816
2,500:¥4.8816
参考库存:6543
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual NPN
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.7515
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:29770
晶体管
MOSFET N-CH/600V 3A/3.6OHM
1:¥9.1417
10:¥7.7631
100:¥5.989
500:¥5.2997
参考库存:21667
晶体管
MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
1:¥12.2944
10:¥10.4525
100:¥8.3733
500:¥7.3111
800:¥7.3111
参考库存:7389
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 12A 30V
1:¥4.6104
10:¥3.7855
100:¥2.4408
1,000:¥1.9549
3,000:¥1.6498
参考库存:19816
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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