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晶体管
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BSS306NH6327XTSA1

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数量单价合计
1
¥3.4578
3.4578
10
¥2.4521
24.521
100
¥1.13
113
1,000
¥0.86784
867.84
3,000
¥0.73789
2213.67
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
2.3 A
Rds On-漏源导通电阻
57 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
1.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
系列
BSS306
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
5 S
下降时间
1.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.3 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
8.3 ns
典型接通延迟时间
4.4 ns
零件号别名
BSS306N BSS36NH6327XT H6327 SP000928940
单位重量
8 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SD57045-01
STMicroelectronics
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 5 Amp
1:¥579.6787
5:¥569.0793
10:¥554.3215
25:¥543.4848
参考库存:8566
DRA9143Y0L
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
3,000:¥0.52997
9,000:¥0.46895
24,000:¥0.43844
参考库存:51750
RSQ025P03TR
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT6
1:¥4.5313
10:¥3.7403
100:¥2.4182
1,000:¥1.9323
3,000:¥1.6272
参考库存:51755
RJK6020DPK-00#T0
Renesas Electronics
晶体管
MOSFET PMOSFET
1:¥60.5454
10:¥54.4773
25:¥49.6409
50:¥46.0249
参考库存:51760
DSC5501T0L
Panasonic
晶体管
射频(RF)双极晶体管 Small Sig Transistor 2.0x2.1mm Flat lead
3,000:¥0.54579
9,000:¥0.48364
24,000:¥0.45313
参考库存:51765

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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